湖北日报全媒记者 李源

“我们离‘圆梦’越来越近了。”10月28日，武汉新城长飞先进武汉基地项目部，项目负责人看着火热的建设现场兴奋不已。

去年8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。7天后，项目正式启动建设。

长飞先进武汉基地是武汉新城诞生的第一个项目，聚焦第三代半导体功率器件研发与生产。

长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍，碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势，能够大幅提高器件的能源转化效率、减少能耗并降低系统成本，将逐步取代传统硅基器件进而成为未来功率器件的主流。

在他看来，第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域具有广阔的应用场景。“我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场，发展第三代化合物半导体对于提升国际竞争力意义重大。”

长飞先进武汉基地总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

在长飞先进武汉基地展厅内的墙上，5组数字引人注目——2023年9月1日，破土动工；2024年6月，结构封顶；2025年1月，设备搬入；2025年7月，量产通线；2026年年底，达到满产。

“我们按照既定节点实现了破土动工和结构封顶，从项目建设进度来看，设备搬入和量产通线将大幅提前。”项目负责人介绍，11月起设备就能进驻厂房，明年年初开始调试，预计明年5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。“从去年9月打下第一根桩，到今年6月实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，对于一个投资百亿级的超大型项目而言，速度非常快。”

投资者对项目高度看好，资金持续注入，是确保项目拔节生长的重要因素。上述负责人说：“我想大家心中都有一个梦，就是推动项目尽快建成，让中国自己研发制造的碳化硅芯片在市场上更有话语权。”

长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目之所以落户武汉新城，主要基于两点考虑：一方面光谷具备设计、制造、封装、测试等半导体全产业链条，成熟的产业环境有利于长飞先进加速实现满产；二是光谷人才优势明显，利好半导体这种智力密集型行业发展。去年开始，长飞先进在武汉招聘了数百名人才，他们目前在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上积累工作经验。随着生产设备搬入，部分产业人才将分批回到武汉，参与武汉基地设备调试、量产通线工作。

“目前全球碳化硅市场处于供不应求状态，长飞先进将持续加大研发投入力度，力争早日实现量产通线，将武汉基地打造成世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。”该负责人说。

前三季度

武汉地区生产总值（GDP）14720.98亿元

同比增长5.1%

第一产业增加值374.99亿元

增长2.5%

第二产业增加值5093.28亿元

增长5.3%

第三产业增加值9252.71亿元

增长5.1%

前三季度

规模以上工业增加值

同比增长6.5%

其中，高技术制造业增加值

增长30.6%

智能手机、新能源汽车、锂离子电池、

平板电脑、集成电路圆片产量同比

分别增长53.8%、41.8%、21.4%、

12.8%、12.5%

前三季度

固定资产投资同比增长2.0%

其中，制造业投资

同比增长17.4%

高技术产业投资

同比增长19.3%

其中，高技术制造业和高技术服务业投资

分别增长22.2%、8.7%