湖北日报全媒记者 马文俊 通讯员 吴非

5月6日，位于光谷的国家信息光电子创新中心无尘实验室内，一台台光学显微镜前，工程师们正忙着检测刚下线的高精尖通信器件。

“自从去年底发布后，这款110GHz电光强度调制器的订单已排满，供不应求！”该中心硅光技术部经理陈代高说，尽管产品刚刚小批量量产，但包括中电科、深圳鹏城实验室在内，不少省内外科研院所、高端仪器设备厂等产业客户已主动上门求购。

随着人工智能、大数据、云计算等新一代信息技术的大规模应用，全球数据总量呈指数式增长，大数据、高速率、远距离信息传输需求不断提升。作为电、光信号转换的关键“翻译官”，调制器决定着通信发射端传输的质量，含金量不言而喻。

此前，我国仅能研制生产带宽在40GHz以内的电光调制器，带宽超过67GHz的电光调制器被国外少数公司垄断。同时，传统硅光材料产品传输接近“天花板”，难以匹配高速通信的发展脚步。

自2020年起，国家信息光电子创新中心就在薄膜铌酸锂芯片、先进封装工艺等产业空白处发力布局，最终完成“换道超车”。

铌酸锂在业内被称为“光学硅”。近年随着光通信产业对带宽、集成度的要求不断提高，铌酸锂正从晶体应用向薄膜时代跨越，但其设计难度大、工艺极其复杂。依托长期的技术积累，中心研发人员接连跨过设计、制造工艺、封装等各个环节的门槛，从零起步，实现领先技术的成功“卡位”。

三年“磨剑”中，该团队还借鉴微电子工艺，先后攻克并掌握了超高带宽调制器芯片、高频电学互连焊接工艺等关键技术。通过为光芯片“嫁接”电芯片，团队在保证新款调制器实现超高带宽、超高速率的同时，保证其低功耗、高分辨率与高抗干扰能力。

“作为首款国产化110GHz电光强度调制器，该产品核心芯片和零部件已全部国产化，多个关键技术指标达到国际先进水平。”中心器件技术部经理王栋介绍，相较现行的主流产品，新款器件的传输速率提升了3至4倍，可广泛应用于光通信、光互连、光计算、光电测试测量、微波光子等宽带光电子信息系统上。

“通过多工艺协同攻关，在即将举办的‘光博会’上，我们还将发布新一代光电融合芯片产品，领航探路关键光器件‘无人区’。”陈代高说，以突破高端材料、芯片工艺、先进封装等方面关键共性技术瓶颈为目标，国家信息光电子创新中心将持续打造协同创新生态系统，着力破解我国信息光电子“缺芯”难题。