湖北日报讯 （记者左晨、通讯员王怡琳）11月2日东风公司透露，东风首批自主碳化硅功率模块已从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。

碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中重点关注的科技前沿领域攻关项目。作为IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块的升级产品和第三代半导体，碳化硅功率模块损耗更低、更高效、更耐高温和高电压，在中高端新能源汽车中应用越来越普及。

据悉，此次东风公司下线的碳化硅功率模块，采用先进的工艺技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化钉状翅片散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%至8%。