《行动计划》提出，未来3到8年，坚持科技创新、产业创新和体制机制创新一体化推进，加快实施十大关键举措（简称“行动十条”），力争在重点领域取得突破性进展，推动“世界光谷”建设全面起势、加力提速。

创建光电子信息领域国家实验室

对标国家实验室建设要求，发挥在汉高水平研究型大学、国家科研机构、科技领军企业及光电子产业相关优势创新资源，打造光电子技术研发和产业孵化的核心平台，创建光电子信息领域国家实验室。

引进培养90名全球顶尖科学家

采取全球邀约、一人一策、量身定制科学家实验室等方式，建立健全人才引进快速决策机制，以全球视野超常规引进顶尖科学家。鼓励高校实施全职讲席教授、冠名教授制度，引进国内外顶尖创新人才。

坚持引育并举，加大对有志趣、有天赋、有潜力的青年科学家培养扶持力度，努力造就一批具有世界影响力的顶尖人才。

推动100项技术攻关

聚焦存储器、车规级芯片、三维集成技术、EDA、激光跨尺度极端制造、新一代人工智能等领域，支持企业、高校院所、新型研发机构联合开展底层技术、基础材料、关键设备、核心部件等技术创新，力争突破一批关键技术难题，取得一批“从0到1”的原创成果。

培育千亿级科技领军企业

支持光通信、集成电路等领域龙头企业承担国家科技重大专项，持续加大研发投入，加快构建自主可控的产品体系，打造具有世界影响力的产品品牌；鼓励龙头企业通过兼并重组、技术并购、资本运作、战略合作等方式，进行产业链横向、纵向资源整合，提升产业创新力和供应链稳定性，增强全球资源配置能力，打造掌握国际话语权的世界一流领军企业。

建设世界一流光谷科学岛

聚焦基础研究、前沿创新、转移转化三大创新功能，围绕物质、信息、生命、材料、地球与环境等领域，布局建设重大科技基础设施集群与前沿交叉研究平台，营造智慧、宜居、开放的创新环境，打造武汉具有全国影响力科技创新中心的核心创新源。

搭建国际领先的硅光芯片创新平台

支持建设硅光芯片创新平台，构建硅光芯片供应能力并实现硅光产品上量生产，同步加快硅基化合物异质集成能力应用，建立该领域世界领先的技术体系。

打造全球化合物半导体创新中心

支持九峰山实验室等创新平台聚焦化合物半导体建立完全国产化的材料、设备、工艺应用平台，加快建设九峰山科技园，形成化合物半导体全产业生态，构筑化合物半导体创新中心。

举办具有全球影响力的东湖科学论坛

围绕前沿科学和热点议题，搭建深化交流、互惠合作的国家级平台，广泛邀请全球顶尖科学家、领军企业家、新锐创业者等共同参与，高规格举办论坛会议、展览展示、技术交易、成果发布、前沿大赛等主题活动，打造我国深度参与全球科技治理的重要国际交往窗口。

打造承载国际产业交流合作功能的“光博会”

高标准、高规格、高质量举办中国光谷国际光电子博览会暨论坛（简称“光博会”），聚焦全球光电子信息产业前沿技术、产品和最新应用场景，持续增强资源链接、整合、配置能力，打造我国光电子信息领域对内对外交流合作的主平台，成为国际光电子信息产业开放、合作、交流的窗口和舞台，引领国际光电子信息技术和产业方向，助力中国光谷彰显世界影响力。

推进深层次改革和制度创新

聚焦建设武汉具有全国影响力的科技创新中心，开展新一轮科技先行先试改革。以光电子信息领域为突破口，围绕科研平台建设、关键技术攻关、科技成果转化、高层次人才引进培养、科创金融赋能、产业集群治理等方面开展深层次改革和制度创新。